| 产品特性：阳光下可见 | 加工定制：是 | 品牌：优奕视界京东方BOE |
| 型号：BOE京东方HSD瀚彩INNOLUX群创 | 种类：IPS型液晶屏(模块) | 屏幕尺寸：10.4英寸 |
| 色彩：全彩 | 亮度：800 | 对比度：111111 |
| 分辨率：800(W)*3(RGB)*1280 | 像素：0.01 | 点距：0.01mm |
| 响应时间：0.01ms | 可视角度：all° | IC：JD9365DA-H3 |
10.4寸***清显示屏
阳光下可视LCD全视角10.4寸工业液晶屏tft屏幕
分辨率: 800(W)*3(RGB)*1280
显示区域: 135.36(W)*216.576(H)
接口类型: MIPI4Lane
简介: 10.4寸
***清液晶显示屏
***清，高对比度，显示效果佳，IPS,阳光下可见
阳光下可视LCD全视角10.4寸工业液晶屏tft屏幕
在半导体制程逐渐逼近物理极限的限制下，芯片发展须透过「晶体管架构的改变」，以及「后段封装技术或材料突破」等方式，以持续达成提高效能、降低功耗及缩小芯片尺寸的目的。
在2018年自7纳米制程首度导入EUV微影技术后，2022年晶圆代工制程技术迎来另一大革新，亦即台积电（TSMC）及三星（Samsung）计划于2022下半年发表的3纳米制程节点。前者在3纳米制程选择延续自1X纳米以来所采用的鳍式场效晶体管架构（FinFET），三星则首先导入基于环绕闸极技术（GAA）的MBCFET架构（Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor）。
相较FinFET的三面式包覆，GAA为四面环绕闸极，源极（Source）及汲极（Drain）通道由鳍式立体版状结构改用纳米线（Nanowire）或纳米片（Nanosheet）取代，借以增加闸极（Gate）与通道的接触面积，加强闸极对通道的控制能力，有效减少漏电的现象。从应用别来看，预计于2022下半年量产的3纳米制程首批产品仍主要集中在对提高效能、降低功耗、缩小芯片面积等有较高要求的高效能运算和智能手机平台。
